KT65C1R200D是一款采用DFN8x8封裝的650V（200mΩ）氮化鎵（GaN）。它是一款常關器件，將KeepTops最新的高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET相結合，提供卓越的可靠性和性能。應用于快速充電器、通訊電源、數據中心、燈光等領域。
注：其他封裝方式（220，252）后續陸續推出
產品封裝如圖所示：
產品特點：
1、符合JEDEC標準的GaN技術
2、動態RDS（on）off生產測試
3、寬門安全裕度
4、具有反向導通能力
5、低柵極電荷
6、符合RoHS標準且無鹵素包裝
7、提高硬開關和軟開關電路的效率（增加功率密度、減小系統尺寸和重量、整體系統成本較低）
8、使用的蹦極驅動器即可輕松驅動
產品優勢：
工藝簡單、可靠性高，良率高，有著極高的開關頻率，極低的柵極電荷、輸出電荷，保證了高頻開關需求的同時，有效降低了系統能耗以及開關能耗。該產品Vgs耐壓±20V，動態電阻小<1.1，驅動兼容傳統Si MOS。
開關時間測試電路如圖所示
瞬態熱阻如圖所示
電氣典型輸出特性（TC=25℃）如圖所示
應用場景：
1、新型電子器件
GaN材料具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。
2、 光電器件
GaN材料是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍
